InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- InP オヨビ Ga1-x InxAsyP1-y ハンドウタイ ニ オケル ショウトツ イオンカリツ ト ヒカリ ケンシュツ デバイス ノ テイザツオンカ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 逢坂福信 [著]
- 著者標目
- 逢坂, 福信 オオサカ, フクノブ
- 授与機関名
- 京都大学
- 授与年月日
- 昭和62年9月24日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1987
- 報告番号
- 乙第6330号
- 学位
- 工学博士