博士論文

Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method

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Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method

国立国会図書館請求記号
UT51-59-F577
国立国会図書館書誌ID
000000199390
資料種別
博士論文
著者
熊谷修 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
大阪大学,工学博士
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博士論文

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書誌情報

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資料種別
博士論文
著者・編者
熊谷修 [著]
著者標目
熊谷, 修 クマガイ, オサム
数量
並列タイトル等
接合容量法による半導体素子中の深い不純物準位の解析 セツゴウ ヨウリョウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ソシチュウ ノ フカイ フジュンブツ ジュンイ ノ カイセキ
授与機関名
大阪大学
授与年月日
昭和59年2月15日
授与年月日(W3CDTF)
1984
報告番号
乙第3305号