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Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices

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Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices

国立国会図書館請求記号
UT51-63-J229
国立国会図書館書誌ID
000000200193
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/12516669
資料種別
博士論文
著者
芝原健太郎 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
京都大学,工学博士
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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
芝原健太郎 [著]
著者標目
芝原, 健太郎 シバハラ, ケンタロウ
並列タイトル等
CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用 CVDホウ ニ ヨル SiC ノ エピタキシャル セイチョウ ト デンシ デバイス エ ノ オウヨウ
授与機関名
京都大学
授与年月日
昭和63年3月23日
授与年月日(W3CDTF)
1988
報告番号
甲第3995号
学位
工学博士