イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- イオン ウチコミ ト アニーリング プロセス ニ ヨリ サクセイシタ コウノウド ドープ Si ハクソウ オヨビ サイセン ノ デンシ キョクザイ ノ ケンキュウ
- 著者・編者
- 伊藤和男 [著]
- 著者標目
- 伊藤, 和男 イトウ, カズオ
- 授与機関名
- 東京大学
- 授与年月日
- 平成1年2月27日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1989
- 報告番号
- 乙第9159号
- 学位
- 理学博士