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Influence of crystalline defects and residual stress on the carrier transport characteristics of SOS MOS devices

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Influence of crystalline defects and residual stress on the carrier transport characteristics of SOS MOS devices

国立国会図書館請求記号
UT51-90-C226
国立国会図書館書誌ID
000000227918
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/11390286
資料種別
博士論文
著者
恩賀伸二 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
学習院大学,理学博士
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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
恩賀伸二 [著]
著者標目
恩賀, 伸二 オンガ, シンジ
並列タイトル等
SOS MOS素子の電気電導特性に及ぼす結晶欠陥と残留歪の影響 SOS MOS ソシ ノ デンキ デンドウ トクセイ ニ オヨボス ケッショウ ケッカン ト ザンリュウヒズミ ノ エイキョウ
授与機関名
学習院大学
授与年月日
昭和63年10月19日
授与年月日(W3CDTF)
1988
報告番号
乙第56号
学位
理学博士