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Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体へのイオン注入 : Si[+]とSn[+]注入GaAsのキャリヤ活性化機構

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Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体へのイオン注入 : Si[+]とSn[+]注入GaAsのキャリヤ活性化機構

国立国会図書館請求記号
UT51-90-K93
国立国会図書館書誌ID
000000230980
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/11393346
資料種別
博士論文
著者
沈泰彦 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
早稲田大学,工学博士
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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ エ ノ イオン チュウニュウ : Si+ ト Sn+ チュウニュウ GaAs ノ キャリヤ カッセイカ キコウ
著者・編者
沈泰彦 [著]
著者標目
沈, 泰彦 シム, テオン
並列タイトル等
Ion implantation to Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor : carrier activation of Si and Sn implanted GaAs
授与機関名
早稲田大学
授与年月日
平成1年6月22日
授与年月日(W3CDTF)
1989
報告番号
甲第801号