Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
書店で探す
障害者向け資料で読む
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 斉藤幸喜 [著]
- 著者標目
- 斉藤, 幸喜 サイトウ, コウキ
- 並列タイトル等
- 高濃度カーボンドープGaAsとそのヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究 コウノウド カーボン ドープ GaAs ト ソノ ヘテロ セツゴウ バイポーラ トランジスタ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成2年3月26日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1990
- 報告番号
- 甲第2166号
- 学位
- 工学博士