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目次
CONTENTS
Chapter 1. Introduction
p1
1.1 Background
p1
1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si
p4
1.3 Device Applications
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 江川孝志 [著]
- 著者標目
- 江川, 孝志 エガワ, タカシ
- 並列タイトル等
- MOCVD法を用いたSi上へのGaAsヘテロエピタキシャル成長および光電子デバイスへの応用 MOCVDホウ オ モチイタ Siジョウ エ ノ GaAs ヘテロエピタキシャル セイチョウ オヨビ コウデンシ デバイス エ ノ オウヨウ
- 授与機関名
- 名古屋工業大学
- 授与年月日
- 平成3年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 甲第61号
- 学位
- 工学博士