Uniaxial stress effect on excitonic systems in Si, Ge and GaAs
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
CONTENTS
p6
Abstract
p4
Preface
p5
Contents
p6
Abbreviations
p8
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- Uddin, Ashraf [著]
- 著者標目
- Uddin, Ashraf ウディン, アシュラフ
- 並列タイトル等
- Si,GeとGaAs中の励起子系に対する一軸性応力効果 Si , Ge ト GaAsチュウ ノ レイキシケイ ニ タイスル イチジクセイ オウリョク コウカ
- 授与機関名
- 大阪大学
- 授与年月日
- 平成3年3月26日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 甲第4242号
- 学位
- 理学博士