レーザー再結晶化法による非晶質絶縁膜上への単結晶シリコン成長に関する研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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第1章 序論
p1
1.1 絶縁体上への単結晶Si成長技術(SOI)の必要性
p1
1.2 SOI形成技術に関する従来の研究
p2
1.3 従来のSOI研究で未解決の課題
p3
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- レーザー サイケッショウカホウ ニ ヨル ヒショウシツ ゼツエンマクジョウ エ ノ タンケッショウ シリコン セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 小椋厚志 [著]
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成3年3月7日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 乙第816号
- 学位
- 工学博士