Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体結晶の引上法による成長技術に関する研究
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目次
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第1章 序論
p1
1.1 III-V族化合物半導体結晶の成長技術
p1
1.2 引上法による結晶成長技術開発の歴史
p2
1.3 本研究の目的と概要
p7
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ケッショウ ノ ヒキアゲホウ ニ ヨル セイチョウ ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 松本和久 [著]
- 著者標目
- 松本, 和久 マツモト, カズヒサ
- 授与機関名
- 大阪大学
- 授与年月日
- 平成3年6月12日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 乙第5447号
- 学位
- 工学博士