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A fundamental study of chemical beam epitaixy for GaInAsP/InP surface emitting lasers

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A fundamental study of chemical beam epitaixy for GaInAsP/InP surface emitting lasers

国立国会図書館請求記号
UT51-91-N227
国立国会図書館書誌ID
000000242304
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3055939
資料種別
博士論文
著者
内田俊一 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京工業大学,工学博士
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目次

  • 論文目録

  • Table of Content

  • Acknowledgments

  • Abstract

  • Chapter1 Introduction

    p1

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
内田俊一 [著]
著者標目
内田, 俊一 ウチダ, トシカズ
並列タイトル等
GalnAsP/InP面発光レーザのための化学ビーム成長法に関する基礎研究 GalnAsP
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成3年3月26日
授与年月日(W3CDTF)
1991
報告番号
甲第2315号
学位
工学博士