分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p1
第1章 序論
p1
1.1 関連分野の研究概要と本研究の動機
p1
1.2 本研究の目的と主な内容
p13
1.3 参考文献
p15
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ブンシセン エピタキシ (MBE) ニ ヨル GaAsFET オヨビ HEMT ノ コウセイノウカ ト リョウサンカ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 園田琢二 [著]
- 著者標目
- 園田, 琢二 ソノダ, タクジ
- 授与機関名
- 名古屋工業大学
- 授与年月日
- 平成3年12月5日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 乙第31号
- 学位
- 工学博士