MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
目次
第一章 序論
p1
1.1 はじめに
p1
1.2 Si基板上への化合物半導体の結晶成長法
p2
1.3 本論文の目的と構成
p8
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- MOCVDホウ ニ ヨル Si キバンジョウ ノ GaP ノ セイチョウ キコウ ト ケッショウセイ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 鈴木孝之 [著]
- 著者標目
- 鈴木, 孝之 スズキ, タカユキ
- 授与機関名
- 名古屋工業大学
- 授与年月日
- 平成4年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 甲第83号
- 学位
- 工学博士