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Formation and characterization of nitride films (TiN, ZrN) deposited by reactively RF sputtering

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Formation and characterization of nitride films (TiN, ZrN) deposited by reactively RF sputtering

国立国会図書館請求記号
UT51-92-F167
国立国会図書館書誌ID
000000248302
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3060063
資料種別
博士論文
著者
金平 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
名古屋工業大学,工学博士
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目次

  • Contents

  • I.General Introduction

    p1

  • II.Internal Stress in Reactively Bias-Sputtered TiN Films

    p6

  • 2.1.Introduction

    p6

  • 2.2.Experimental

    p6

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
金平 [著]
著者標目
金, 平 チン, ピン
並列タイトル等
RF反応性スパッタ法による窒化物膜(TiN,ZrN)の形成とキャラクタリゼーション RF ハンノウセイ スパッタホウ ニ ヨル チッカブツマク (TiN , ZrN) ノ ケイセイ ト キャラクタリゼーション
授与機関名
名古屋工業大学
授与年月日
平成4年3月23日
授与年月日(W3CDTF)
1992
報告番号
甲第85号
学位
工学博士