博士論文
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Study on device degradation of MOSFETs and its evaluation methods

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Study on device degradation of MOSFETs and its evaluation methods

国立国会図書館請求記号
UT51-92-E165
国立国会図書館書誌ID
000000248707
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3087951
資料種別
博士論文
著者
安田直樹 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
大阪大学,工学博士
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目次

  • Contents

    p2

  • 1 General Introduction

    p1

  • 1.1 Device degradation induced by hot carriers

    p1

  • 1.2 Improvement of device performance using SOI MOSFETs

    p3

  • 1.3 Overview of this study

    p4

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
安田直樹 [著]
著者標目
安田, 直樹 ヤスダ, ナオキ
並列タイトル等
MOSデバイスの特性劣化の機構およびその評価法に関する研究 MOS デバイス ノ トクセイ レッカ ノ キコウ オヨビ ソノ ヒョウカホウ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
大阪大学
授与年月日
平成4年3月25日
授与年月日(W3CDTF)
1992
報告番号
甲第4571号
学位
工学博士