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Studies on heteroepitaxial growth of GaAs on Si substrate by metal organic chemical vapor deposition

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Studies on heteroepitaxial growth of GaAs on Si substrate by metal organic chemical vapor deposition

国立国会図書館請求記号
UT51-92-J525
国立国会図書館書誌ID
000000250660
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3088786
資料種別
博士論文
著者
藤田和久 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
名古屋工業大学,工学博士
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目次

  • CONTENTS

  • Chapter 1.Introduction

    p1

  • 1.1 Background

    p1

  • 1.2 GaAs epitaxial growth on Si

    p4

  • 1.3 Initial stage of GaAs growth on Si

    p10

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
藤田和久 [著]
著者標目
藤田, 和久 フジタ, カズヒサ
並列タイトル等
有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs成長の研究 ユウキ キンゾク キソウ セイチョウホウ ニ ヨル Si キバンジョウ GaAs セイチョウ ノ ケンキュウ
授与機関名
名古屋工業大学
授与年月日
平成4年6月4日
授与年月日(W3CDTF)
1992
報告番号
乙第40号
学位
工学博士