Study of ultra-high carbon-doping in GaAs and InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
論文目録
TABLE OF CONTENTS
PREFACE
Chapter1.Overview and Objective
p1
Chapter2.Key Features and Principles of GaAs Metalorganic Molecular Beam Epitaxy(MOMBE)
p5
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトル
- 著者・編者
- 山田巧 [著]
- 著者標目
- 山田, 巧 ヤマダ, タクミ
- 並列タイトル等
- 有機金属分子線エピタキシー法によるGaAs,InGaAsへの超高濃度カーボンドーピングに関する研究 ユウキ キンゾク ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル GaAs , InGaAs エ ノ チョウコウノウド カーボンドーピング ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成4年3月26日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 甲第2455号
- 学位
- 工学博士