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イオン化蒸着法によるⅡ-Ⅵ族化合物半導体薄膜の作製とその応用に関する研究

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イオン化蒸着法によるⅡ-Ⅵ族化合物半導体薄膜の作製とその応用に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-92-N269
国立国会図書館書誌ID
000000252881
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3062121
資料種別
博士論文
著者
黒柳秋男 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京工業大学,工学博士
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目次

  • 論文目録

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1-1 研究の背景

    p1

  • 1-2 研究の目的

    p2

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
イオンカ ジョウチャクホウ ニ ヨル 2 - 6ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ハクマク ノ サクセイ ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
黒柳秋男 [著]
著者標目
黒柳, 秋男 クロヤナギ, アキオ
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成4年2月29日
授与年月日(W3CDTF)
1992
報告番号
乙第2318号
学位
工学博士