Single crystal growth of silicon carbide by gas source molecular beam epitaxy
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目次
論文目録
Contents
p5
Abstract
p1
Acknowledgments
p3
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 吉信達夫 [著]
- 著者標目
- 吉信, 達夫 ヨシノブ, タツオ
- 並列タイトル等
- ガスソース分子線エピタキシー法によるシリコンカーバイドの単結晶成長 ガス ソース ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル シリコン カーバイド ノ タンケッショウ セイチョウ
- 授与機関名
- 京都大学
- 授与年月日
- 平成4年9月24日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 甲第5198号
- 学位
- 工学博士