The application of GaAs on Si for optical devices by MOCVD
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目次
Contents
Chapter1:Introduction
p1
1-1.Background
p1
1-2.Epitaxial growth of GaAs on Si
p3
1-3.Application to devices
p7
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 湯浅貴之 [著]
- 著者標目
- 湯浅, 貴之 ユアサ, タカユキ
- 並列タイトル等
- MOCVD法によるSi上GaAsの光学素子への応用 MOCVDホウ ニ ヨル Siジョウ GaAs ノ コウガク ソシ エ ノ オウヨウ
- 授与機関名
- 名古屋工業大学
- 授与年月日
- 平成5年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1993
- 報告番号
- 甲第111号
- 学位
- 博士 (工学)