博士論文
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Study of heavily phosphorus-doped Si epitaxial films grown by photo and plasma chemical vapor deposition

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Study of heavily phosphorus-doped Si epitaxial films grown by photo and plasma chemical vapor deposition

国立国会図書館請求記号
UT51-93-L196
国立国会図書館書誌ID
000000261258
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/2964716
資料種別
博士論文
著者
賈瑛 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京工業大学,博士 (工学)
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目次

  • 論文目録

  • TABLE OF CONTENTS

  • Preface

  • Chapter 1.Overview and Objective of This Research

    p1

  • Chapter 2.Fundamentals of Heavily Doped Silicon

    p6

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
賈瑛 [著]
著者標目
賈, 瑛 チア, イン
並列タイトル等
光及びプラズマCVD法による高濃度PドープSiエピタキシャル膜に関する研究 ヒカリ オヨビ プラズマ CVDホウ ニ ヨル コウノウド P ドープ Si エピタキシャルマク ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成5年3月26日
授与年月日(W3CDTF)
1993
報告番号
甲第2603号
学位
博士 (工学)