Electrical properties of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors made in ultrathin-film silicon-on-insulators
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
Table of Contents
p7
Chapter1 Introduction
p1
Chapter2 Simulation and analysis of the fundamental properties of ultrathin-film SOI MOSFETs
p7
2.1 Simulated device structure
p7
2.2 Subthreshold characteristic
p9
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 吉見信 [著]
- 著者標目
- 吉見, 信 ヨシミ, マコト
- 並列タイトル等
- 絶縁膜上のシリコンに形成したMOSトランジスタの電気特性 ゼツエンマクジョウ ノ シリコン ニ ケイセイシタ MOS トランジスタ ノ デンキ トクセイ
- 授与機関名
- 東京大学
- 授与年月日
- 平成3年5月30日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 乙第10226号
- 学位
- 博士 (工学)