Photoluminescence and electrical properties of impurity-doped ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy
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目次
CONTENTS
p1
Acknowledgment
p3
1.Introduction:Wide band-gap II-VI compounds
p1
References
p9
2.Preparation of ZnSe layers by molecular beam epitaxy
p14
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 大川和宏 [著]
- 著者標目
- 大川, 和宏 オオカワ, カズヒロ
- 並列タイトル等
- 分子線エピタキシー法により成長した不純物添加ZnSe薄膜のフォトルミネッセンス特性と電気特性に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨリ セイチョウシタ フジュンブツ テンカ ZnSe ハクマク ノ フォトルミネッセンス トクセイ ト デンキ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 東京大学
- 授与年月日
- 平成4年1月27日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 乙第10512号
- 学位
- 博士 (理学)