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(Al,Ga)As上へのNiAl量子細線結晶のMBE成長とその成長メカニズムについての研究

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(Al,Ga)As上へのNiAl量子細線結晶のMBE成長とその成長メカニズムについての研究

国立国会図書館請求記号
UT51-93-Q1
国立国会図書館書誌ID
000000263101
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3069942
資料種別
博士論文
著者
石田真也 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
関西学院大学,博士 (理学)
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目次

  • 目次

  • 第1章 緒論

    p1

  • 参考文献

    p4

  • 第2章 NiA1のMBE成長方法及び評価方法

    p5

  • §2.2 NiA1

    p5

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
(Al,Ga)Asジョウ エ ノ NiAl リョウシ サイセン ケッショウ ノ MBE セイチョウ ト ソノ セイチョウ メカニズム ニ ツイテ ノ ケンキュウ
著者・編者
石田真也 [著]
著者標目
石田, 真也 イシダ, マサヤ
授与機関名
関西学院大学
授与年月日
平成5年5月6日
授与年月日(W3CDTF)
1993
報告番号
甲第71号
学位
博士 (理学)