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Studies on gas phase kinetics of the SiHx radicals in an RF SiH[4] plasma

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Studies on gas phase kinetics of the SiHx radicals in an RF SiH[4] plasma

国立国会図書館請求記号
UT51-96-G382
国立国会図書館書誌ID
000000296087
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3111116
資料種別
博士論文
著者
野村秀次 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
名古屋大学,博士 (工学)
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目次

  • Contents

    p1

  • 1 Introduction

    p1

  • 1.1 Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film

    p1

  • 1.2 RF SiII₄ Plasma for a-Si:H Film Formation

    p2

  • 1.3 Purpose and Composition of This Thesis

    p7

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
野村秀次 [著]
著者標目
野村, 秀次 ノムラ, ヒデシ
並列タイトル等
高周波放電シランプラズマ中のSiHxラジカルの気相反応過程に関する研究 コウシュウハ ホウデン シラン プラズマチュウ ノ SiHx ラジカル ノ キソウ ハンノウ カテイ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
名古屋大学
授与年月日
平成8年3月25日
授与年月日(W3CDTF)
1996
報告番号
甲第3395号
学位
博士 (工学)