博士論文
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HVPE growth of GaN bulk single crystal

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HVPE growth of GaN bulk single crystal

国立国会図書館請求記号
UT51-96-G391
国立国会図書館書誌ID
000000296096
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3111125
資料種別
博士論文
著者
Theeradetch Detchprohm [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
名古屋大学,博士 (工学)
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目次

  • CONTENTS

    p1

  • Chapter 1 Introduction

    p1

  • §1.1 The Overview of Wide-gap Semiconductor

    p1

  • §1.2 Historical View of GaN and Related Materials

    p13

  • §1.3 The Purposes and Scope of This Study

    p21

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
Theeradetch Detchprohm [著]
著者標目
Theeradetch Detchprohm ティーラデート デートプロム
並列タイトル等
HVPE法によるGaNバルク単結晶の成長に関する研究 HVPEホウ ニ ヨル GaN バルク タンケッショウ ノ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
名古屋大学
授与年月日
平成8年3月25日
授与年月日(W3CDTF)
1996
報告番号
甲第3404号
学位
博士 (工学)