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シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究

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シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-96-H442
国立国会図書館書誌ID
000000296712
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3084303
資料種別
博士論文
著者
松川貴 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
早稲田大学,博士 (工学)
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目次

  • 目次

  • 第1部 シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価

    p1

  • 第1章 序論

    p2

  • 1.1 研究の背景および目的

    p2

  • 1.2 第1部の概要

    p6

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
シングル イオン ショウシャ ニ ヨル チョウLSI ノ ホウシャセン タイセイ ヒョウカ オヨビ シングル イオン ショウシャ ソンショウ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
松川貴 [著]
著者標目
松川, 貴 マツカワ, タカシ
授与機関名
早稲田大学
授与年月日
平成8年3月15日
授与年月日(W3CDTF)
1996
報告番号
甲第1120号
学位
博士 (工学)