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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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第1部 シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価
p1
第1章 序論
p2
1.1 研究の背景および目的
p2
1.2 第1部の概要
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- シングル イオン ショウシャ ニ ヨル チョウLSI ノ ホウシャセン タイセイ ヒョウカ オヨビ シングル イオン ショウシャ ソンショウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 松川貴 [著]
- 著者標目
- 松川, 貴 マツカワ, タカシ
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成8年3月15日
- 授与年月日(W3CDTF)
- 1996
- 報告番号
- 甲第1120号
- 学位
- 博士 (工学)