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気相ドーピング法によるシリコン超浅拡散層形成技術とその応用に関する研究

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気相ドーピング法によるシリコン超浅拡散層形成技術とその応用に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-96-H536
国立国会図書館書誌ID
000000296806
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3111614
資料種別
博士論文
著者
清田幸弘 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
早稲田大学,博士 (工学)
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目次

  • 目次

  • 1.緒言

    p1

  • 1.1 背景

    p1

  • 1.2 浅接合形成技術の研究動向

    p4

  • 1.3 従来の接合形成技術の問題点

    p8

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
キソウ ドーピングホウ ニ ヨル シリコン チョウセン カクサンソウ ケイセイ ギジュツ ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
清田幸弘 [著]
著者標目
清田, 幸弘 キヨタ, ユキヒロ
授与機関名
早稲田大学
授与年月日
平成8年3月7日
授与年月日(W3CDTF)
1996
報告番号
乙第1182号
学位
博士 (工学)