SiCの物性制御とデバイス化の研究
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目次
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p1
1章 はじめに
p1
1.1 研究の背景･･･シリコンパワーデバイスの課題
p1
1.2 本論の構成
p8
2章 SiCの物性とパワーデバイス
p9
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- SiC ノ ブッセイ セイギョ ト デバイスカ ノ ケンキュウ
- 著者・編者
- 上野勝典 [著]
- 著者標目
- 上野, 勝典 ウエノ, カツノリ
- 授与機関名
- 山梨大学
- 授与年月日
- 平成8年3月22日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1996
- 報告番号
- 甲第31号
- 学位
- 博士 (工学)