Studies on GaAs-based light-emitting devices on Si substrates for optoelectronic integrated circuits
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目次
Contents
p1
Chapter1.Introduction
p1
1.1 Background
p1
1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs on Si
p5
1.3 Device Applications: Light-Emitting Devices on Si
p7
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトル
- 著者・編者
- 長谷川義晃 [著]
- 著者標目
- 長谷川, 義晃 ハセガワ, ヨシアキ
- 並列タイトル等
- 光電子集積回路に向けたSi基板上GaAs系発光デバイスに関する研究 コウデンシ シュウセキ カイロ ニ ムケタ Si キバンジョウ GaAsケイ ハッコウ デバイス ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 名古屋工業大学
- 授与年月日
- 平成8年3月22日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1996
- 報告番号
- 甲第164号
- 学位
- 博士 (工学)