Semiconductor lasers and high electron mobility transistors (HEMTs) using InP-related materials
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
Contents
p1
1.General Introduction
p1
1.1.InP-related compounds material
p1
1.2.Application to semiconductor lasers
p3
1.3.Application to electron devices
p5
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 吉田直人 [著]
- 著者標目
- 吉田, 直人 ヨシダ, ナオヒト
- 並列タイトル等
- InP関連材料を用いた半導体レーザと高電子移動度トランジスタに関する研究 InP カンレン ザイリョウ オ モチイタ ハンドウタイ レーザ ト コウデンシ イドウド トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 名古屋工業大学
- 授与年月日
- 平成8年3月15日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1996
- 報告番号
- 乙第98号
- 学位
- 博士 (工学)