分子吸着の自己抑制機構発現による高精度3C-SiC薄膜のエピタキシャル成長に関する研究
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目次
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p1
第1章 序論
p5
1.1 エレクトロニクス技術の将来
p5
1.2 素子材料としてのSiCの諸特性
p8
1.3 SiC成長に関する歴史的背景
p12
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ブンシ キュウチャク ノ ジコ ヨクセイ キコウ ハツゲン ニ ヨル コウセイド 3C-SiC ハクマク ノ エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 長澤弘幸 [著]
- 著者標目
- 長澤, 弘幸 ナガサワ, ヒロユキ
- 授与機関名
- 東海大学
- 授与年月日
- 平成9年9月22日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1997
- 報告番号
- 乙第312号
- 学位
- 博士 (工学)