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低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO[2]積層構造の作製と応用

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低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO[2]積層構造の作製と応用

国立国会図書館請求記号
UT51-98-A319
国立国会図書館書誌ID
000000317479
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3132289
資料種別
博士論文
著者
谷由加里 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
名古屋大学,博士 (工学)
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目次

  • 1.序論

    p1

  • 1.1 研究のねらい

    p1

  • 1.2 研究の背景

    p2

  • 1.3 研究内容

    p6

  • 2.実験方法

    p9

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
テイエネルギー サンソ イオン チュウニュウホウ オ モチイタ タンケッショウ Si-SiO2 セキソウ コウゾウ ノ サクセイ ト オウヨウ
著者・編者
谷由加里 [著]
著者標目
谷, 由加里 タニ, ユカリ
授与機関名
名古屋大学
授与年月日
平成9年7月7日
授与年月日(W3CDTF)
1997
報告番号
乙第5255号
学位
博士 (工学)