Study of carbon doped n-type InP and its application to heterojunction bipolar transistors (HBTs)
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
論文目録
TABLE OF CONTENTS
Chapter 1 Overview and Objective of This Study
p1
Chapter 2 Key Features and Related Issues for InP-based Heterojunction Bipolar Transistors(HBTs)
p6
2-1.Introduction
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトル
- 著者・編者
- 呉済煥 [著]
- 著者標目
- 呉, 済煥 オー, ジェホアン
- 並列タイトル等
- カーボンドープn形Inpとヘテロ接合バイポーラトランジスターへの応用に関する研究 カーボン ドープ nケイ Inp ト ヘテロ セツゴウ バイポーラ トランジスター エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成9年3月26日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1997
- 報告番号
- 甲第3452号
- 学位
- 博士 (工学)