Analytical models for shallow base bipolar transistors and deep submicron double-gate SOI MOSFETs
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
論文目録
I.Introduction
p4
II.Models for polysilicon emitter contact bipolar transistors in low-injection regime
p12
II-1.Introduction
p12
II-2.Base current model considering polysilicon emitter contact
p14
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトル
- 著者・編者
- 鈴木邦広 [著]
- 著者標目
- 鈴木, 邦広 スズキ, クニヒロ
- 並列タイトル等
- 浅いベース接合を持つバイポーラトランジスタならびに二重ゲート微細SOI MOSFETsに関する解析モデル アサイ ベース セツゴウ オ モツ バイポーラ トランジスタ ナラビニ ニジュウ ゲート ビサイ SOI MOSFETs ニ カンスル カイセキ モデル
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成8年5月31日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1996
- 報告番号
- 乙第2908号
- 学位
- 博士 (工学)