Study of Ⅲ-Ⅵ compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
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目次
論文目録
TABLE OF CONTENTS
Preface
Chapter 1 Overview and Objectives of This Study
p1
Chapter 2 Key Features of III-VI and II-III-VI Compound Semiconductors
p5
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 岡本保 [著]
- 著者標目
- 岡本, 保 オカモト, タモツ
- 並列タイトル等
- 分子線エピタキシー法で成長したⅢ-Ⅵ族化合物半導体に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ デ セイチョウ シタ 3-6 ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成9年2月28日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1997
- 報告番号
- 乙第3008号
- 学位
- 博士 (工学)