水素プラズマ処理によるMOSデバイスの電気的特性変化
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p1
第1章 序論
p1
1.1 水素プラズマのデバイスプロセスヘの応用
p1
1.2 水素プラズマ処理により半導体が受けると予想される効果
p2
1.3 本研究の目的
p4
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- スイソ プラズマ ショリ ニ ヨル MOS デバイス ノ デンキテキ トクセイ ヘンカ
- 著者・編者
- 塚本敬一 [著]
- 著者標目
- 塚本, 敬一 ツカモト, ケイイチ
- 授与機関名
- 九州大学
- 授与年月日
- 平成11年1月29日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第4551号
- 学位
- 博士(工学)