CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p1
第1章 序論
p1
1.1 研究の背景と目的
p1
1.2 本論文の要旨と構成
p4
第2章 高品質トンネル酸化膜の形成と特性評価
p5
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- CoSi2 ゲート MOSケイ トンネル デンシ ホウシュツ ソシ ノ サクセイ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 張依群 [著]
- 著者標目
- 張, 依群 ジャン, イチュン
- 授与機関名
- 九州大学
- 授与年月日
- 平成11年3月25日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第4806号
- 学位
- 博士(工学)