Gas source molecular beam epitaxial growth of indium gallium phosphide using tertiarybutylphosphine
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
Contents
p6
Chapter1 Introduction
p1
1.1 Historical Background
p1
1.2 Objective This Work
p5
1.3 Synopsis of Each Chapter
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトル
- 著者・編者
- 齋寛展 [著]
- 著者標目
- 齋, 寛展 サイ, ヒロノブ
- 並列タイトル等
- ターシャリブチルフォスフィンを用いたインジウムガリウムリンのガスソース分子線エピタキシャル成長 ターシャリブチルフォスフィン オ モチイタ インジウム ガリウムリン ノ ガス ソース ブンシセン エピタキシャル セイチョウ
- 授与機関名
- 北海道大学
- 授与年月日
- 平成11年3月25日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第4759号
- 学位
- 博士(工学)