Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体への不純物ドーピングメカニズムの研究
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目次
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p3
謝辞
p1
第1章 序論
p1
1.1 はじめに
p2
1.2 化合物半導体における不純物ドーピング特性
p3
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- 3-5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ エ ノ フジュンブツ ドーピング メカニズム ノ ケンキュウ
- 著者・編者
- 佐野恵利子 [著]
- 著者標目
- 佐野, 恵利子 サノ, エリコ
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成11年3月15日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第1342号
- 学位
- 博士(工学)