シリコンウェーハの電気的特性評価に関する研究
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目次
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p1
第1章､序論
p1
1-1､研究の背景―LSIデバイスの信頼性に要求される結晶起因の電気的特性―
p1
1-2､シリコンプロセスの概要
p6
1-3､シリコン半導体の電気的特性評価法の概要
p8
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- シリコン ウェーハ ノ デンキテキ トクセイ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 村上義男 [著]
- 著者標目
- 村上, 義男 ムラカミ, ヨシオ
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成10年10月15日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1998
- 報告番号
- 乙第1396号
- 学位
- 博士(工学)