シリコン選択エピタキシャル成長技術の超高集積回路への応用に関する研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
-目次-
p1
第1章 緒論
p1
1.1 はじめに
p1
1.2 Si選択エピタキシャル成長技術に関する従来研究の経緯
p3
1.3 Si選択エピタキシャル成長技術を半導体デバイスへ適用した従来研究の経緯
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- シリコン センタク エピタキシャル セイチョウ ギジュツ ノ チョウコウシュウセキ カイロ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 笠井直記 [著]
- 著者標目
- 笠井, 直記 カサイ, ナオキ
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成11年2月4日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 乙第1420号
- 学位
- 博士(工学)