Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究
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目次
論文要旨
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p1
第1章 序論
p1
1.1 III-V族化合物半導体の格子不整合ヘテロエピタキシー技術とその意義
p1
1.2 格子不整合ヘテロエピタキシーの問題点
p3
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ヘテロエピタキシー ニ オケル カンツウ テンイ ミツド ノ テイゲン オヨビ ヒョウメン ノ ヘイタンカ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 左文字克哉 [著]
- 著者標目
- 左文字, 克哉 サモンジ, カツヤ
- 授与機関名
- 豊橋技術科学大学
- 授与年月日
- 平成11年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第224号
- 学位
- 博士 (工学)