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シリコンナノエンジニアリングの基礎としての表面構造自己組織化に関する研究

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シリコンナノエンジニアリングの基礎としての表面構造自己組織化に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-2000-F562
国立国会図書館書誌ID
000000352803
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3167611
資料種別
博士論文
著者
嶋田一義 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
早稲田大学,博士 (工学)
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目次

  • 目次

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 本研究の背景及び目的

    p1

  • 1.2 本研究の概要

    p5

  • 第2章 イオン照射による表面改質がDAS構造自己組織化に及ぼす影響の解明

    p8

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
シリコン ナノエンジニアリング ノ キソ ト シテ ノ ヒョウメン コウゾウ ジコ ソシキカ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
嶋田一義 [著]
著者標目
嶋田, 一義 シマダ, カズヨシ
授与機関名
早稲田大学
授与年月日
平成12年3月2日
授与年月日(W3CDTF)
2000
報告番号
甲第1436号
学位
博士 (工学)