MOMBE法によるGaAsの選択成長技術とそのデバイス応用に関する研究
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p4
第1章 序論
p1
1.1.はじめに
p1
1.2.化合物半導体デバイスの特徴
p1
1.3.MBE法とMOVPE法について
p4
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- MOMBEホウ ニ ヨル GaAs ノ センタク セイチョウ ギジュツ ト ソノ デバイス オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 古畑直規 [著]
- 著者標目
- 古畑, 直規 フルハタ, ナオキ
- 授与機関名
- 横浜国立大学
- 授与年月日
- 平成12年3月31日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 2000
- 報告番号
- 乙第149号
- 学位
- 博士 (工学)