レーザーアブレーションによる鉄シリサイド薄膜の作製及びその諸特性に関する基礎研究
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
論文要旨
p1
目次
第1章 序論
p1
§1.1 レーザーアブレーションによる薄膜の作製とその特徴
p1
§1.2 鉄シリサイド薄膜-環境半導体
p4
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- レーザー アブレーション ニ ヨル テツ シリサイド ハクマク ノ サクセイ オヨビ ソノ ショトクセイ ニ カンスル キソ ケンキュウ
- 著者・編者
- 劉正新 [著]
- 著者標目
- 劉, 正新 リュウ, セイシン
- 授与機関名
- 豊橋技術科学大学
- 授与年月日
- 平成12年3月22日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 2000
- 報告番号
- 甲第263号
- 学位
- 博士 (工学)