博士論文

Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system

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Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system

国立国会図書館請求記号
UT51-2003-E149
国立国会図書館書誌ID
000004132020
資料種別
博士論文
著者
Daisuke Ito [著]
出版者
[Daisuke Ito]
出版年
2003
資料形態
ページ数・大きさ等
1冊
授与大学名・学位
大阪府立大学,博士 (工学)
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書誌情報

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資料種別
博士論文
著者・編者
Daisuke Ito [著]
著者標目
伊藤, 大輔 イトウ, ダイスケ
出版事項
出版年月日等
2003
出版年(W3CDTF)
2003
数量
1冊
並列タイトル等
エピタキシャルYMnO3/Y2O3/Siを用いた強誘電体ゲートキャパシタの作製とその記憶保持特性 エピタキシャル YMnO3 Y2O3 Si オ モチイタ キョウユウデンタイ ゲート キャパシタ ノ サクセイ ト ソノ キオク ホジ トクセイ
授与機関名
大阪府立大学