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レーザアブレーシヨン法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善

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レーザアブレーシヨン法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善

国立国会図書館請求記号
Y151-H06650010
国立国会図書館書誌ID
000006998719
資料種別
図書
著者
森本, 章治, 金沢大学
出版者
-
出版年
1994-1995
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
レーザアブレーシヨンホウ ニ ヨル キョウ ユウデンタイ フキハツ メモリ ニ オケル ヒロウ トクセイ ノ カイゼン
著者・編者
森本, 章治, 金沢大学
著者標目
森本, 章治 モリモト, アキハル
出版年月日等
1994-1995
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(C)
件名標目
レーザアブレーシヨン レーザアブレーシヨン
強誘電体不揮発メモリ キヨウユウデンタイフキハツメモリ
チタン酸ジルコン酸鉛 (PZT) チタンサンジルコンサンナマリ (PZT)
ニツケル合金電極 ニツケルゴウキンデンキヨク
窒化チタンアルミ (TiAlN) 電極 チツカチタンアルミ (TIALN) デンキヨク
マグネシアバツフア層 マグネシアバツフアソウ
スイツチング電荷量 スイツチングデンカリヨウ
スイツチング疲労耐性 スイツチングヒロウタイセイ