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博士論文

Synthesis and characterization of HfN-based metal gate electrodes by MOCVD for the application of advanced high-κ MOS stacks

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Synthesis and characterization of HfN-based metal gate electrodes by MOCVD for the application of advanced high-κ MOS stacks

国立国会図書館請求記号
UT51-2007-A631
国立国会図書館書誌ID
000008479512
資料種別
博士論文
著者
王文武 [著]
出版者
[王文武]
出版年
[2006]
資料形態
紙
ページ数・大きさ等
1冊
授与大学名・学位
東京大学,博士 (工学)
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書誌情報

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紙

資料種別
博士論文
タイトル
Synthesis and characterization of HfN-based metal gate electrodes by MOCVD for the application of advanced high-κ MOS stacks
著者・編者
王文武 [著]
著者標目
王, 文武 オウ, ブンブ
出版事項
[王文武]
出版年月日等
[2006]
出版年（W3CDTF）
2006
数量
1冊
並列タイトル等
MOCVD法を用いたHigh-κ MOSスタック用HfN系金属電極の合成と評価 MOCVDホウ オ モチイタ High - カッパ MOS スタックヨウ HfNケイ キンゾク デンキョク ノ ゴウセイ ト ヒョウカ
授与機関名
東京大学